STGW60H65DF
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| Référence | STGW60H65DF |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | IGBT 650V 120A 360W TO247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.409 | $2.937 | $2.55 | $2.221 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STGW60H65DF | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 650V 120A 360W TO247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 16586 pcs | Fiche technique | STGW60H65DF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 60A | Condition de test | 400V, 60A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 67ns/165ns | énergie de commutation | 1.5mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 62ns | Puissance - Max | 360W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-13105-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop | gate charge | 206nC |
| Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 360W Through Hole TO-247 | Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 240A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 120A |
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- Partie#:
DMA-MC-XM-N3 - Fabricant:
Lattice Semiconductor - La description:
IP CORE MCDMA CTLR XP LATTICEXP - En stock:
4268