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STGYA120M65DF2AG

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Référence STGYA120M65DF2AG
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
In Stock 11877 pcs
Référence Prix
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$2.739

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Référence STGYA120M65DF2AG Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 11877 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTGYA120M65DF2AG
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 120A Condition de test 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 66ns/185ns énergie de commutation 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Package composant fournisseur MAX247™ Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 202ns Puissance - Max 625W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 420nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™ Courant - Collecteur pulsée (Icm) 360A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 160A

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